锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FDC6432SH
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FDC6432SH 复合场效应管 30V/-12V 2.4A/-2.5A SOT-163/SOT23-6/SSOT-6 marking/标记 6432 DC/DC转换器 电源管理

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V/-12V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 16V/8V 最大漏极电流IdDrain Current| 2.4A/-2.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 105mΩ@ VGS = 4.5V, ID =2.2A/220mΩ@ VGS =-1.8V, ID =-1.6A 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 1~3V/-0.4~-1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.3W Description & Applications| 12V P-Channel Power Trench MOSFET, 30V Power Trench Sync FET General Description This complementary P-Channel MOSFET with Sync FET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for providing an extremely low RDSON in a small package. Applications DC/DC converter Power management Features · Low gate charge · High performance trench technology for extremely low RDSON. · Super SOT –6 package 描述与应用| 12V P沟道功率沟槽MOSFET,30V功率沟道同步FET 概述    这种互补的P沟道MOSFET同步FET已专门设计,以提高整体效率的DC / DC转换器采用同步或传统开关PWM控制器。它已被优化在一个小型封装提供极低的RDS(ON)。 应用 DC/ DC转换器 电源管理 特点 ·低栅极电荷 ·高性能沟道技术极低的RDS(ON)。 ·超级SOT-6包装

FDC6432SH中文资料参数规格
技术参数

额定电流 2.40 A

通道数 2

漏源极电阻 90 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.3 W

输入电容 514 pF

栅电荷 5.70 nC

漏源极电压Vds 30V, 12V

漏源击穿电压 12 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

上升时间 12.0 ns

输入电容Ciss 270pF @15VVds

额定功率Max 700 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDC6432SH引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDC6432SH
型号 制造商 描述 购买
FDC6432SH Fairchild 飞兆/仙童 FDC6432SH 复合场效应管 30V/-12V 2.4A/-2.5A SOT-163/SOT23-6/SSOT-6 marking/标记 6432 DC/DC转换器 电源管理 搜索库存