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FDU8770
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET

N-Channel 25 V 35A Tc 115W Tc Through Hole I-PAK


得捷:
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK


立创商城:
N沟道 25V 35A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK


FDU8770中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 35.0 A

漏源极电阻 3.30 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 115W Tc

输入电容 3.72 nF

栅电荷 73.0 nC

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

上升时间 12.0 ns

输入电容Ciss 3720pF @13VVds

额定功率Max 115 W

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDU8770引脚图与封装图
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