FQD9N25TF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD9N25TF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 7.40 A
漏源极电阻 420 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 55W Tc
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.40 A
输入电容Ciss 700pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 55W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD9N25TF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQD9N25TF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD9N25TF | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQD9N25TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD9N25TF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 250V 7.4A 420mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FQD9N25TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 250V 7.4A 420mohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD9N25TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.4 A, 250 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 V | FQD9N25TF和FQD9N25TM的区别 |