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FQB32N12V2TM

FQB32N12V2TM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQB32N12V2TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 120 V

额定电流 32.0 A

漏源极电阻 50.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.75W Ta, 150W Tc

漏源极电压Vds 120 V

漏源击穿电压 120 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

输入电容Ciss 1860pF @25VVds

额定功率Max 3.75 W

耗散功率Max 3.75W Ta, 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQB32N12V2TM引脚图与封装图
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FQB32N12V2TM Fairchild 飞兆/仙童 N沟道 120V 32A 搜索库存