FQD8P10TF
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD8P10TF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -6.60 A
漏源极电阻 530 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.60 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 470pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 44W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD8P10TF引脚图与封装图
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在线购买FQD8P10TF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD8P10TF | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQD8P10TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD8P10TF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 P-Channel 100V 6.6A 530mohms | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FQD8P10TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 P-Channel 100V 6.6A 530mohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD8P10TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -6.6 A, -100 V, 0.41 ohm, -10 V, -4 V | FQD8P10TF和FQD8P10TM的区别 |