FQA8N80C
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA8N80C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 8.40 A
漏源极电阻 1.55 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 220W Tc
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 8.40 A
输入电容Ciss 2050pF @25VVds
额定功率Max 220 W
耗散功率Max 220W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQA8N80C引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQA8N80C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQA8N80C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-Channel 800V 8.4A 1.55ohms | 当前型号 | 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STD18N55M5 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | FQA8N80C和STD18N55M5的区别 |
| 型号： SPA04N80C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 800V 4A | 功能相似 | INFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V | FQA8N80C和SPA04N80C3的区别 |
| 型号： SPP08N80C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220AB N-Channel 800V 8A | 功能相似 | INFINEON SPP08N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V | FQA8N80C和SPP08N80C3的区别 |