FQB6N90TM_AM002
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB6N90TM_AM002中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 900 V
额定电流 5.80 A
通道数 1
漏源极电阻 1.9 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.80 A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 1880pF @25VVds
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 167W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB6N90TM_AM002引脚图与封装图
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在线购买FQB6N90TM_AM002
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB6N90TM_AM002 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQB6N90TM_AM002
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB6N90TM_AM002 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263-3 N-Channel 900V 5.8A 1.9ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： STB6NK90ZT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-263 N-Channel 900V 5.8A 2ohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB6NK90ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V | FQB6N90TM_AM002和STB6NK90ZT4的区别 |