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FDZ201N
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDZ201N中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 9.00 A

漏源极电阻 18.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2W Ta

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

输入电容Ciss 1127pF @10VVds

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 WFBGA-12

外形尺寸

封装 WFBGA-12

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDZ201N引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDZ201N Fairchild 飞兆/仙童 N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET BGA N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET 搜索库存