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FQB9N25CTM

FQB9N25CTM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N沟道 250V 8.8A

N-Channel 250 V 8.8A Tc 3.13W Ta, 74W Tc Surface Mount D2PAK TO-263


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N沟道 250V 8.8A


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MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK


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Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


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MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK


FQB9N25CTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 9.00 A

漏源极电阻 350 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.13W Ta, 74W Tc

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 8.80 A

输入电容Ciss 710pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

耗散功率Max 3.13W Ta, 74W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQB9N25CTM引脚图与封装图
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