FQH90N15
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQH90N15中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
额定电流 90.0 A
漏源极电阻 18.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 90.0 A
上升时间 760 ns
输入电容Ciss 8700pF @25VVds
下降时间 410 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQH90N15引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQH90N15
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQH90N15 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-247 N-Channel 150V 90A 18mohms | 当前型号 | N沟道功率MOSFET N-Channel Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQA90N15 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3PN N-Channel 150V 90A 18mohms | 功能相似 | QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FQH90N15和FQA90N15的区别 |
| 型号： FQA90N15_F109 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3PN N-CH 150V 90A | 功能相似 | N沟道功率MOSFET N-Channel Power MOSFET | FQH90N15和FQA90N15_F109的区别 |