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FQAF12N60
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQAF12N60中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 7.80 A

漏源极电阻 700 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 100W Tc

输入电容 1.90 nF

栅电荷 54.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 7.80 A

输入电容Ciss 1900pF @25VVds

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FQAF12N60引脚图与封装图
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FQAF12N60 Fairchild 飞兆/仙童 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET 搜索库存