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FDB3860
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDB3860中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.1W Ta, 71W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 6.4A

输入电容Ciss 1740pF @50VVds

额定功率Max 3.1 W

耗散功率Max 3.1W Ta, 71W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDB3860引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDB3860 Fairchild 飞兆/仙童 N沟道MOSFET的PowerTrench 100 V, 30 A , 37毫欧 N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 30 A, 37 mΩ 搜索库存