FDG329N
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDG329N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 1.50 A
通道数 1
漏源极电阻 70 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 420 mW
输入电容 324 pF
栅电荷 3.30 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 324pF @10VVds
额定功率Max 380 mW
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 420mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.1 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDG329N引脚图与封装图
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在线购买FDG329N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDG329N | Fairchild 飞兆/仙童 | 20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDG329N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDG329N 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SC-70-6 N-Channel 20V 1.5A 70mohms 324pF | 当前型号 | 20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SI1426DH-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-363 N-Channel | 功能相似 | MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6 | FDG329N和SI1426DH-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI1426DH-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 6-TSSOP N-Channel 30V 3.6A | 功能相似 | MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6 | FDG329N和SI1426DH-T1-E3的区别 |
| 型号： FDG311N_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | FDG329N和FDG311N_NL的区别 |