FDC6308P
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDC6308P中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 180 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 960 mW
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 1.7A
上升时间 9 ns
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SSOT-6
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SSOT-6
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDC6308P引脚图与封装图
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在线购买FDC6308P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDC6308P | Fairchild 飞兆/仙童 | 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET ™ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDC6308P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDC6308P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SSOT-6 P-CH 20V 1.7A | 当前型号 | 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET ™ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDC6306P_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6Pin SuperSOT T/R | FDC6308P和FDC6306P_NL的区别 |
| 型号： ZXM62P02E6 品牌： 美台 封装： | 功能相似 | MOSFET, P CH, 20V, -2.3A, SOT-23 | FDC6308P和ZXM62P02E6的区别 |