FQB9N08TM

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

N沟道 80V 9.3A

N-Channel 80 V 9.3A Tc 3.75W Ta, 40W Tc Surface Mount D2PAK TO-263

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N沟道 80V 9.3A

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MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK

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Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

FQB9N08TM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 9.30 A

漏源极电阻 210 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.75W Ta, 40W Tc

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 9.30 A

输入电容Ciss 250pF @25VVds

额定功率Max 3.75 W

耗散功率Max 3.75W Ta, 40W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQB9N08TM引脚图与封装图

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