FDU8874
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDU8874中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 116 A
漏源极电阻 5.10 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
输入电容 2.99 nF
栅电荷 54.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 116 A
上升时间 96.0 ns
输入电容Ciss 2990pF @15VVds
耗散功率Max 110W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDU8874引脚图与封装图
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在线购买FDU8874
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDU8874 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 116A N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 116A | 搜索库存 |
替代型号FDU8874
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDU8874 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-251 N-Channel 30V 116A 5.1mohms 2.99nF | 当前型号 | N沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 116A N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 116A | 当前型号 |
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| 型号： FDU6688 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK | FDU8874和FDU6688的区别 |