
极性 N-CH
耗散功率 40W Tc
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 4.5A
输入电容Ciss 230pF @25VVds
额定功率Max 40 W
耗散功率Max 40W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDD6N20TF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252-3 N-CH 200V 4.5A | 当前型号 | N沟道MOSFET N-Channel MOSFET | 当前型号 | |
型号: FDD6N20TM 品牌: 飞兆/仙童 封装: DPAK N-Channel 200V 4.5A | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 5 V | FDD6N20TF和FDD6N20TM的区别 | |
型号: PHD9NQ20T,118 品牌: 安世 封装: DPAK | 功能相似 | N沟道 VDS=200V VGS=±30V ID=8.7A P=88W | FDD6N20TF和PHD9NQ20T,118的区别 | |
型号: 2SK214 品牌: 瑞萨电子 封装: TO-220AB N-CH 160V 500mA | 功能相似 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | FDD6N20TF和2SK214的区别 |