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FDD6N20TF
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDD6N20TF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 40W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 4.5A

输入电容Ciss 230pF @25VVds

额定功率Max 40 W

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDD6N20TF引脚图与封装图
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在线购买FDD6N20TF
型号 制造商 描述 购买
FDD6N20TF Fairchild 飞兆/仙童 N沟道MOSFET N-Channel MOSFET 搜索库存
替代型号FDD6N20TF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDD6N20TF

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-252-3 N-CH 200V 4.5A

当前型号

N沟道MOSFET N-Channel MOSFET

当前型号

型号: FDD6N20TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: DPAK N-Channel 200V 4.5A

类似代替

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD6N20TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 5 V

FDD6N20TF和FDD6N20TM的区别

型号: PHD9NQ20T,118

品牌: 安世

封装: DPAK

功能相似

N沟道 VDS=200V VGS=±30V ID=8.7A P=88W

FDD6N20TF和PHD9NQ20T,118的区别

型号: 2SK214

品牌: 瑞萨电子

封装: TO-220AB N-CH 160V 500mA

功能相似

硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

FDD6N20TF和2SK214的区别