
额定电压DC 20.0 V
额定电流 6.50 A
漏源极电阻 20.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.60 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 7.30 A
上升时间 15.0 ns
输入电容Ciss 840pF @10VVds
额定功率Max 1.2 W
安装方式 Surface Mount
封装 SSOT-6
封装 SSOT-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDC6000NZ | Fairchild 飞兆/仙童 | 双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDC6000NZ 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SSOT N-Channel 20V 7.3A 20mohms | 当前型号 | 双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 当前型号 | |
型号: FDC6000NZ_F077 品牌: 飞兆/仙童 封装: SSOT N-Channel 20V 7.3A 20mohms | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 20V 7.3A 6Pin SSOT FLMP T/R | FDC6000NZ和FDC6000NZ_F077的区别 |