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FQAF7N80
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQAF7N80中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 5.00 A

漏源极电阻 1.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 96 W

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 1850pF @25VVds

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 96W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.2 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQAF7N80引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FQAF7N80 Fairchild 飞兆/仙童 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET 搜索库存