FQB65N06TM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB65N06TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 65.0 A
漏源极电阻 16.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.75W Ta, 150W Tc
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 65.0 A
输入电容Ciss 2410pF @25VVds
额定功率Max 3.75 W
耗散功率Max 3.75W Ta, 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB65N06TM引脚图与封装图
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在线购买FQB65N06TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB65N06TM | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道 60V 65A | 搜索库存 |
替代型号FQB65N06TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB65N06TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263-3 N-Channel 60V 65A 16mohms | 当前型号 | N沟道 60V 65A | 当前型号 |
| 型号： FQB65N06 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET | FQB65N06TM和FQB65N06的区别 |