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FDS3912
Fairchild 飞兆/仙童 主动器件
FDS3912中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 3.00 A

漏源极电阻 125 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.00 W

输入电容 632 pF

栅电荷 14.0 nC

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 2.00 ns

输入电容Ciss 632pF @50VVds

额定功率Max 900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS3912引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDS3912 Fairchild 飞兆/仙童 100V双N沟道PowerTrench MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 搜索库存