FQP32N20C_F080
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP32N20C_F080中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 156 W
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 28A
上升时间 270 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
下降时间 210 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 156W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQP32N20C_F080引脚图与封装图
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在线购买FQP32N20C_F080
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQP32N20C_F080 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail | 搜索库存 |
替代型号FQP32N20C_F080
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP32N20C_F080 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220AB N-CH 200V 28A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail | 当前型号 |
| 型号： FQP32N20C 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 200V 28A 88mohms | 类似代替 | QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 | FQP32N20C_F080和FQP32N20C的区别 |