FDD2612

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFET

N-Channel 200 V 4.9A Ta 42W Ta Surface Mount TO-252AA

得捷:
MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252

立创商城:
N沟道 200V 4.9A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 4.9A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK

FDD2612中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 4.90 A

漏源极电阻 720 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 42W Ta

输入电容 234 pF

栅电荷 8.00 nC

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.90 A

上升时间 6.00 ns

输入电容Ciss 234pF @100VVds

额定功率Max 1.6 W

耗散功率Max 42W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDD2612引脚图与封装图

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