FQH44N10
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQH44N10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 48.0 A
漏源极电阻 0.039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 180 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 48.0 A
上升时间 190 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
额定功率Max 180 W
下降时间 100 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQH44N10引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQH44N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQH44N10 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-247 N-Channel 100V 48A 39mohms | 当前型号 | 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQH44N10_F133 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-247-3 N-CH 100V 48A | 类似代替 | QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FQH44N10和FQH44N10_F133的区别 |
| 型号： FDP3682 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 100V 32A 36mohms 1.25nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP3682 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V | FQH44N10和FDP3682的区别 |