FQB6N15TM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB6N15TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
额定电流 6.30 A
漏源极电阻 475 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.75W Ta, 63W Tc
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 6.40 A
输入电容Ciss 270pF @25VVds
耗散功率Max 3.75W Ta, 63W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB6N15TM引脚图与封装图
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在线购买FQB6N15TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB6N15TM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 150V 6.4A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQB6N15TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB6N15TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： D2PAK N-Channel 150V 6.4A 475mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 150V 6.4A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FQB6N15 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET | FQB6N15TM和FQB6N15的区别 |