FQPF6N80

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

N-Channel 800V 3.3A Tc 51W Tc Through Hole TO-220F

得捷:
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F

立创商城:
N沟道 800V 3.3A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail

FQPF6N80中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 3.30 A

漏源极电阻 1.95 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 51W Tc

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.30 A

输入电容Ciss 1500pF @25VVds

额定功率Max 51 W

耗散功率Max 51W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQPF6N80引脚图与封装图

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