FDPF8N50NZT
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDPF8N50NZT中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 40.3W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 8A
输入电容Ciss 7360pF @25VVds
耗散功率Max 40.3W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDPF8N50NZT引脚图与封装图
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在线购买FDPF8N50NZT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDPF8N50NZT | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道的UniFET II MOSFET N-Channel UniFET II MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDPF8N50NZT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDPF8N50NZT 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220F N-CH 500V 8A | 当前型号 | N沟道的UniFET II MOSFET N-Channel UniFET II MOSFET | 当前型号 |
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| 型号： FDPF5N50UT 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220F N-CH 500V 4A | 类似代替 | UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDPF8N50NZT和FDPF5N50UT的区别 |
| 型号： FDPF8N50NZ 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220F N-Channel 500V 8A | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3Pin3+Tab TO-220F Tube | FDPF8N50NZT和FDPF8N50NZ的区别 |