FQD7N30TF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD7N30TF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 V
额定电流 5.50 A
漏源极电阻 700 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc
漏源极电压Vds 300 V
漏源击穿电压 300 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
输入电容Ciss 610pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD7N30TF引脚图与封装图
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在线购买FQD7N30TF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD7N30TF | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 300V 5.5A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQD7N30TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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