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FQI32N12V2TU

FQI32N12V2TU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N沟道 120V 32A

N-Channel 120 V 32A Tc 3.75W Ta, 150W Tc Through Hole I2PAK TO-262


得捷:
MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK


立创商城:
N沟道 120V 32A


贸泽:
MOSFET 120V N-Ch Adv QFET V2 series


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 32A 3-Pin3+Tab I2PAK T/R


FQI32N12V2TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 120 V

额定电流 32.0 A

极性 N-CH

耗散功率 3.75 W

漏源极电压Vds 120 V

连续漏极电流Ids 32.0 A

上升时间 190 ns

输入电容Ciss 1860pF @25VVds

额定功率Max 3.75 W

下降时间 158 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.75W Ta, 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 4.83 mm

高度 7.88 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQI32N12V2TU引脚图与封装图
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