FQB6N70TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB6N70TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 700 V
额定电流 6.20 A
通道数 1
漏源极电阻 1.16 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 700 V
漏源击穿电压 700 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.20 A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 142W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB6N70TM引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQB6N70TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB6N70TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263-3 N-Channel 700V 6.2A 1.16ohms | 当前型号 | N沟道 700V 6.2A | 当前型号 |
| 型号： STD6N62K3 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 620V 5.5A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD6N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 V | FQB6N70TM和STD6N62K3的区别 |
| 型号： STB6N62K3 品牌： 意法半导体 封装： TO-263-3 N-Channel 620V 5.5A | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQB6N70TM和STB6N62K3的区别 |
| 型号： STB9NK70ZT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-263-3 N-Channel 700V 7.5A 1.2ohms | 功能相似 | N沟道700V - 1欧姆 - 7.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET | FQB6N70TM和STB9NK70ZT4的区别 |