FQPF32N12V2
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF32N12V2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 120 V
额定电流 32.0 A
漏源极电阻 50.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 120 V
漏源击穿电压 120 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 190 ns
输入电容Ciss 1860pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 158 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF32N12V2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| FQPF32N12V2 | Fairchild 飞兆/仙童 | 120V N沟道MOSFET 120V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |