FQD3N60TF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD3N60TF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 2.40 A
漏源极电阻 3.60 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.40 A
输入电容Ciss 450pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD3N60TF引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQD3N60TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD3N60TF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 600V 2.4A 3.6ohms | 当前型号 | N沟道 600V 2.4A | 当前型号 |
| 型号： FQD3N60TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-CH 600V 2.4A | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3Pin2+Tab DPAK T/R | FQD3N60TF和FQD3N60TM的区别 |