额定电流 6.00 A
漏源极电阻 18.0 mΩ, 35.0 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 1 W
输入电容 1.33 nF
栅电荷 14.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 ±20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 19.0 ns
输入电容Ciss 1325pF @10VVds
额定功率Max 600 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
长度 4.4 mm
宽度 3 mm
高度 1 mm
封装 TSSOP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDW2520C | Fairchild 飞兆/仙童 | 互补的PowerTrench MOSFET Complementary PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDW2520C 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TSSOP N-Channel 20V 6A 18mohms 1.33nF | 当前型号 | 互补的PowerTrench MOSFET Complementary PowerTrench MOSFET | 当前型号 | |
型号: FDW2521C 品牌: 飞兆/仙童 封装: TSSOP Dual N-Channel 20V 5.5A 21mohms | 类似代替 | 互补的PowerTrench MOSFET Complementary PowerTrench MOSFET | FDW2520C和FDW2521C的区别 | |
型号: FDW2521C_NL 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 功能相似 | Complementary PowerTrench MOSFET | FDW2520C和FDW2521C_NL的区别 |