FPN660A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FPN660A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -3.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 250 @500mA, 2V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FPN660A引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FPN660A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FPN660A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-226 PNP -60V -3A | 当前型号 | PNP低饱和晶体管 PNP Low Saturation Transistor | 当前型号 |
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| 型号： FMMT560 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 2A IC, 60V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, SUPERSOT-3 | FPN660A和FMMT560的区别 |
| 型号： FXT660A 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 3A IC, 60V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226 | FPN660A和FXT660A的区别 |