FJV3112RMTF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJV3112RMTF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJV3112RMTF引脚图与封装图
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在线购买FJV3112RMTF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJV3112RMTF | Fairchild 飞兆/仙童 | 特性•开关电路，逆变器，接口电路，驱动器电路•内置偏置电阻（R=47KΩ）•FJV4112R的补充 | 搜索库存 |
替代型号FJV3112RMTF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJV3112RMTF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 40V 100mA 200mW | 当前型号 | 特性•开关电路，逆变器，接口电路，驱动器电路•内置偏置电阻（R=47KΩ）•FJV4112R的补充 | 当前型号 |
| 型号： FJV3111RMTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 40V 100mA 200mW | 完全替代 | 特性•开关电路，逆变器，接口电路，驱动器电路•内置偏置电阻（R=22KΩ）•FJV4111R的补充 | FJV3112RMTF和FJV3111RMTF的区别 |
| 型号： FJV3109R 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 完全替代 | NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor | FJV3112RMTF和FJV3109R的区别 |
| 型号： FJV3109RMTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 40V 100mA 200mW | 类似代替 | 开关应用（偏置电阻内置） Switching Application Bias Resistor Built In | FJV3112RMTF和FJV3109RMTF的区别 |