FJAF6916TU
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJAF6916TU中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 60 W
击穿电压集电极-发射极 800 V
集电极最大允许电流 16A
最小电流放大倍数hFE 6 @8.5A, 5V
最大电流放大倍数hFE 9
额定功率Max 60 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.7 mm
宽度 5.7 mm
高度 16.7 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJAF6916TU引脚图与封装图
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在线购买FJAF6916TU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJAF6916TU | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar | 搜索库存 |
替代型号FJAF6916TU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJAF6916TU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3PF NPN | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar | 当前型号 |
| 型号： FJAF6916 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | NPN型三重扩散平面硅晶体管 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor | FJAF6916TU和FJAF6916的区别 |