FMBS549

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

PNP低饱和晶体管 PNP Low Saturation Transistor

Bipolar BJT Transistor PNP 30V 1A 100MHz 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

得捷:
TRANS PNP 30V 1A SUPERSOT-6

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation

艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 6-Pin SuperSOT T/R

Win Source:
PNP Low Saturation Transistor

FMBS549中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

耗散功率 0.7 W

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 700 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.68 mm

高度 1.12 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FMBS549引脚图与封装图

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