锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FJP5200OTU

FJP5200OTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FJP5200OTU中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 100000 mW

增益频宽积 30 MHz

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 17A

最小电流放大倍数hFE 80 @1A, 5V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 80 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 50 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FJP5200OTU引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FJP5200OTU
型号 制造商 描述 购买
FJP5200OTU Fairchild 飞兆/仙童 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor 搜索库存