FCH041N60F
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 36 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 595 W
阈值电压 3V ~ 5V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 76A
上升时间 66 ns
输入电容Ciss 14365pF @100VVds
额定功率Max 595 W
下降时间 53 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 595W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FCH041N60F | Fairchild 飞兆/仙童 | SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |