FCH35N60

MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET， Semiconductor

Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。

利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。

得捷:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3

欧时:
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCH35N60, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装

贸泽:
MOSFET 600V N-Channel SuperFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-247 Rail

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-247 Rail

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-247 Rail

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCH35N60  Power MOSFET, N Channel, 35 A, 600 V, 0.079 ohm, 10 V, 3 V

Win Source:
N-Channel SuperFET MOSFET