FGH40T120SMDL4

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4Pin4+Tab TO-247 Rail

IGBT Trench Field Stop 1.2V 80A 555W Through Hole TO-247

得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A Rail

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 3-Pin TO-247 T/R

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin4+Tab TO-247 Rail

Win Source:
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3

FGH40T120SMDL4中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 555000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 65 ns

额定功率Max 555 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 555000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-247-4

外形尺寸

高度 22.74 mm

封装 TO-247-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FGH40T120SMDL4引脚图与封装图

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