FQL40N50F
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQL40N50F中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 40.0 A
通道数 1
漏源极电阻 110 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 460 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 440 ns
输入电容Ciss 7500pF @25VVds
额定功率Max 460 W
下降时间 250 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 460W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 20.2 mm
宽度 5 mm
高度 26.4 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQL40N50F引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQL40N50F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQL40N50F 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-264 N-Channel 500V 40A 110mohms | 当前型号 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STW20NK50Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQL40N50F和STW20NK50Z的区别 |
| 型号： STD18N55M5 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | FQL40N50F和STD18N55M5的区别 |
| 型号： STD6N95K5 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 950V 9A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V | FQL40N50F和STD6N95K5的区别 |