
额定电压DC 600 V
额定电流 47.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 70 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 417 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 47.0 A
输入电容Ciss 8000pF @25VVds
额定功率Max 417 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 417W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FCA47N60 | Fairchild 飞兆/仙童 | SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FCA47N60 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-3P N-Channel 600V 47A 58mohms | 当前型号 | SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 | |
型号: FCA47N60_F109 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-3P-3 N-CH 600V 47A | 类似代替 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | FCA47N60和FCA47N60_F109的区别 | |
型号: STW34NM60N 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 N-Channel 600V 29A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW34NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V | FCA47N60和STW34NM60N的区别 | |
型号: STW45NM60 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 N-Channel 650V 45A 110mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | FCA47N60和STW45NM60的区别 |