FCB110N65F
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FCB110N65F中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 110 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 357 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 35A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 4895pF @100VVds
下降时间 5.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 357W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
香港进出口证 NLR
FCB110N65F引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FCB110N65F | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3Pin TO-263 T/R | 搜索库存 |