FDP8030L
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP8030L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.0035 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 187 W
阈值电压 1.5 V
输入电容 10.5 nF
栅电荷 120 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 185 ns
输入电容Ciss 10500pF @15VVds
额定功率Max 187 W
下降时间 200 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 187W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDP8030L引脚图与封装图
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在线购买FDP8030L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP8030L | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP8030L 场效应管, MOSFET, N沟道, 187W, TO-220-3 | 搜索库存 |
替代型号FDP8030L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP8030L 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 30V 80A 3.5mohms 10.5nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP8030L 场效应管, MOSFET, N沟道, 187W, TO-220-3 | 当前型号 |
| 型号： STP60NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V | FDP8030L和STP60NF06的区别 |
| 型号： STP5NK100Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 1kV 3.5A 3.7Ω | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V | FDP8030L和STP5NK100Z的区别 |
| 型号： STP80NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FDP8030L和STP80NF10的区别 |