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FDH055N15A

FDH055N15A

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDH055N15A中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0048 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 429 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 167A

上升时间 67 ns

输入电容Ciss 9445pF @75VVds

额定功率Max 429 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 429W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 20.82 mm

宽度 15.87 mm

高度 4.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDH055N15A引脚图与封装图
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在线购买FDH055N15A
型号 制造商 描述 购买
FDH055N15A Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FDH055N15A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDH055N15A

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-247-3 N-Channel 150V 167A

当前型号

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号: IRFP4568PBF

品牌: 国际整流器

封装: TO-247-3 N-Channel 150V 171A

功能相似

Trans MOSFET N-CH 150V 171A 3Pin3+Tab TO-247AC Tube

FDH055N15A和IRFP4568PBF的区别