FDMT800150DC
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMT800150DC中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 3200 mW
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 8205pF @75VVds
下降时间 9.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 156W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PQFN-8
外形尺寸
高度 0.9 mm
封装 PQFN-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDMT800150DC引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| FDMT800150DC | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 150V 15A 8Pin QFN EP T/R | 搜索库存 |