
针脚数 3
漏源极电阻 0.29 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 62.5 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 79 ns
输入电容Ciss 3040pF @25VVds
额定功率Max 62.5 W
下降时间 62 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FDPF17N60NT | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF17N60NT 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.29 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: FDPF17N60NT 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220F N-Channel 600V 17A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF17N60NT 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.29 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 | |
型号: SIHP12N60E-GE3 品牌: 威世 封装: TO-220-3 N-Channel 600V 12A 380mΩ | 功能相似 | N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。### 特点低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | FDPF17N60NT和SIHP12N60E-GE3的区别 | |
型号: SIHP15N60E-GE3 品牌: 威世 封装: TO-220-3 N-Channel 600V 15A 280mΩ | 功能相似 | N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。### 特点低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | FDPF17N60NT和SIHP15N60E-GE3的区别 |