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FDB082N15A

FDB082N15A

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 117A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
150 V 8.2 MOHM TO263 3L JEDEC 绿色 EMC


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 117A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 117A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB082N15A  MOSFET Transistor, N Channel, 105 A, 150 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2 V


Win Source:
MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK


DeviceMart:
MOSFET N CH 150V 105A D2PAK


FDB082N15A中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0067 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 231 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 117A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 6040pF @25VVds

额定功率Max 231 W

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 294W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDB082N15A引脚图与封装图
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FDB082N15A Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存