FGA6065ADF

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

IGBT 晶体管 650V FS Gen3 Trench IGBT

IGBT Trench Field Stop 650V 120A 306W Through Hole TO-3PN

得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

贸泽:
IGBT 晶体管 650V FS Gen3 Trench IGBT

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-3PN Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306000mW 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail

FGA6065ADF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 306 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 110 ns

额定功率Max 306 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 306000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FGA6065ADF引脚图与封装图

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